地址：
深圳市宝安区新桥街道洋下大道8号
磁性胶水涂覆结构，超低蜂鸣噪音。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
小尺寸, 耐大电流，低直流电阻。
载带包装，适用于回流焊SMT工艺。
广泛应用于DC-DC转换器，手机，掌上电脑，数字信号控制器等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸，低阻抗，寄生电容小。
符合AEC-Q200标准。
工作温度：-55℃～+155℃(包含线圈发热)。
磁屏蔽结构，抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸，低阻抗，寄生电容小。
工作温度：-55℃ ～ +165℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸：低阻抗，寄生电容小。
工作温度：-55℃ ～ +165℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
小体积，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸：低阻抗，寄生电容小。
符合AEC-Q200标准。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸：低阻抗，寄生电容小。
符合AEC-Q200标准。
工作温度：-55℃ ～ +165℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构，抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸，低阻抗，寄生电容小。
符合AEC-Q200的标准产品。
工作温度：-40℃～+125℃(包含线圈发热)。
磁屏蔽结构，抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸，低阻抗，寄生电容小。
符合AEC-Q200的标准产品。
工作温度：-40℃～+125℃(包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸：低阻抗，寄生电容小。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸：低阻抗，寄生电容小。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸：低阻抗，寄生电容小。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构，抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸，低阻抗，寄生电容小。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸，低阻抗，寄生电容小。
符合AEC-Q200的标准产品。
工作温度：-40℃～+125℃(包含线圈发热)。
磁屏蔽结构，抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸，低阻抗，寄生电容小。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸：低阻抗，寄生电容小。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸，低阻抗，寄生电容小。
工作温度：-55℃～+155℃(包含线圈发热)。
扁平线绕组，实现极低的直流电阻。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
适合大功率 DC-DC 转换应用。
紧凑型设计，节省PCB安装面积。
工作温度：-55℃ ～ +165℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构，抗电磁干扰(EMI)性能强。
一体成型结构，超低蜂鸣噪音。
低损耗，高效率，应用频率宽。
轻薄型设计，节省空间，适合高密度贴装。
低损耗合金粉末压铸，低阻抗，寄生电容小。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
二合一结构。
优化设计实现高音质和低失真。
低耦合，电感间的串扰最小。
处理高瞬态电流峰值而不饱和。
工作温度：-55℃ ～ +155℃ (包含线圈发热)。
磁屏蔽结构：抗电磁干扰(EMI)性能强。
二合一结构。
优化设计实现高音质和低失真。
低耦合，电感间的串扰最小。
处理高瞬态电流峰值而不饱和。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
小尺寸, 耐大电流，低直流电阻。
无铅产品，符合RoHS标准。
载带包装，适用于回流焊SMT工艺。
广泛应用于升降压转化器，显示器，笔记本电脑，网络通信设备等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
超薄型，磁性屏蔽结构。
无铅产品，符合RoHS标准。
载带包装，适用于回流焊SMT工艺。
广泛应用于升降压转化器，笔记本电脑，显示器，电脑及其外围设备等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热) 。
超薄型，磁性屏蔽结构。
无铅产品，符合RoHS标准。
载带包装，适用于回流焊SMT工艺。
广泛应用于升降压转化器，笔记本电脑，显示器，电脑及其外围设备等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热) 。
小尺寸, 耐大电流，低直流电阻。
磁性屏蔽结构。
无铅产品，符合RoHS指令。
载带包装，适用于回流焊SMT工艺。
广泛应用于升降压转化器，笔记本电脑，显示器，网络通信设备等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热) 。
小尺寸, 耐大电流，低直流电阻。
无铅产品，符合RoHS标准。
载带包装，适用于回流焊SMT工艺。
广泛应用于升降压转化器，显示器，笔记本电脑，汽车电子，家用电器等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热) 。
低直流电阻, 耐大电流。
磁性屏蔽结构。
无铅产品，符合RoHS标准。
载带包装，适用于回流焊SMT工艺。
广泛应用于升降压转化器，显示器，汽车电子，家用电器等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热) 。
低直流电阻, 耐大电流。
磁性屏蔽结构。
无铅产品，符合RoHS标准。
载带包装，适用于回流焊SMT工艺。
广泛应用于升降压转化器，笔记本电脑，显示器，网络通信设备等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃(包含线圈发热)。
低直流电阻, 耐大电流。
磁性屏蔽结构。
无铅产品，符合RoHS指令。
载带包装，适用于回流焊SMT工艺。
广泛应用于升降压转化器，笔记本电脑，显示器，网络通信设备等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热)。
小体积，适合高密度贴装。
磁屏蔽结构，抗电磁干扰(EMI)性能强。
工作温度：-40℃～+125℃ (包含线圈发热)。
小体积，适合高密度贴装。
磁屏蔽结构，抗电磁干扰（EMI）性能强。
扁平线绕组，实现极低的直流电阻。
工作温度：-55 +165℃（包含线圈发热）。
小体积，适合高密度贴装。
磁屏蔽结构，抗电磁干扰（EMI）性能强。
工作温度： -55~+150℃（包含线圈发热）。
符合AEC-Q200标准。
铁氧体磁芯，工作频率高。
低直流电阻，高饱和电流。
无铅产品，符合RoHS标准。
广泛应用于开关电源，功率放大器，输出天线，滤波器，显示器，不间断电源等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热) 。
铁氧体磁芯，工作频率高。
低直流电阻，高饱和电流。
无铅产品，符合RoHS标准。
广泛应用于开关电源，功率放大器，输出天线，滤波器，显示器，不间断电源等。
工作温度：-40℃ ～ +125℃ (包含线圈发热) 。
铁氧体磁芯，工作频率高。
低直流电阻，高饱和电流。
无铅产品，符合RoHS标准。
广泛应用于开关电源，功率放大器，输出天线，滤波器，显示器，不间断电源等。
符合AEC-Q200的标准产品。
工作温度：-40℃ ～ +150℃ (包含线圈发热) 。
低损耗铁粉或合金磁芯材料。
环形磁芯结构紧凑，电磁干扰小。
适用于各种电源转换和线路滤波应用。
根据客户需求定制。
工作温度：-40℃～+105℃或 +125℃(包含线圈发热)。
低损耗合金磁芯材料。
环形磁芯结构紧凑，电磁干扰小。
适用于各种电源转换和线路滤波应用。
根据客户需求定制。
工作温度：-40℃～+125℃(包含线圈发热)。
高导磁率铁氧体磁芯材料。
环形磁芯结构紧凑，电磁干扰小。
非常适合对称干扰的滤波。
根据客户需求定制。
工作温度：-40℃～+125℃ (包含线圈发热)。
高导磁率铁氧体磁芯材料。
三线并绕，实现极低的直流电阻。
非常适合对称干扰的滤波。
根据客户需求定制。
工作温度：-40℃～+125℃ (包含线圈发热)。